| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体器件，其包括：下层，其在顶表面上具有不平坦区域；介质阻挡层，其设置在下层上，并具有平坦的顶表面；以及层间介质层，其设置在该介质阻挡层上，并具有平坦的顶表面。 | ||
| 申请公布号 | CN101136389A | 申请公布日期 | 2008.03.05 |
| 申请号 | CN200710148559.9 | 申请日期 | 2007.08.29 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 沈千万 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L23/522(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 夏凯;钟强 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：下层，其在顶表面上具有不平坦区域；介质阻挡层，其位于所述下层上，并具有平坦顶表面；以及层间介质层，其位于所述介质阻挡层上，并具有平坦顶表面。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||