| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 半导体器件及其制造方法。本发明公开一种通过电极的接触电阻和电极本身的电阻的减小而具有增强性能的具有场效应晶体管(FET)的半导体器件。该FET包括n型FET，其具有在半导体衬底中形成的通道区，绝缘地覆盖通道区的栅电极，以及在通道区的两端形成的一对源和漏电极。源/漏电极由第一金属的硅化物制成。包含第二金属的界面层在衬底和第一金属之间的界面中形成。第二金属的功函数小于第一金属的硅化物的功函数，并且第二金属硅化物的功函数小于第一金属硅化物的功函数。本发明还公开了半导体器件的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101136437A | 申请公布日期 | 2008.03.05 |
| 申请号 | CN200710148535.3 | 申请日期 | 2007.08.29 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 新宮昌生;木下敦宽;土屋义规 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/43(2006.01);H01L27/092(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 1.一种包括n型场效应晶体管的半导体器件，包括：在半导体衬底中形成的n型场效应晶体管的通道区；在所述通道区的表面上形成的栅电极，栅极绝缘薄膜位于其间；在所述通道区的两侧上形成的一对源和漏电极，所述源和漏电极由第一金属的硅化物制成；以及在所述半导体衬底和所述第一金属的硅化物之间的界面处形成的包含第二金属的第一界面层，其中所述第二金属的功函数比所述第一金属的硅化物的功函数小，并且所述第二金属的硅化物的功函数比所述第一金属的硅化物的功函数小。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||