| 发明名称 | 编程电阻存储器件的方法 | ||
| 摘要 | 提供编程RRAM器件的方法。增加的置位电流被施加到RRAM器件的数据存储层图形，同时测量该数据存储层图形的电阻，直到该电阻表示数据存储层图形中的置位态。增加的复位电压被施加到RRAM器件的数据存储层图形，同时测量该数据存储层图形的电阻，直到该电阻表示数据存储层图形中的复位态。 | ||
| 申请公布号 | CN101136247A | 申请公布日期 | 2008.03.05 |
| 申请号 | CN200710148167.2 | 申请日期 | 2007.08.28 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 白寅圭;李将银;吴世忠;南坰兑;郑峻昊;林恩京 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01) | 主分类号 | G11C16/10(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 黄启行;穆德骏 |
| 主权项 | 1.一种编程RRAM器件的方法，该方法包括：施加增加的置位电流到RRAM器件的数据存储层图形，同时测量数据存储层图形的电阻，直到该电阻表示数据存储层图形中的置位态；以及施加增加的复位电压到RRAM器件的数据存储层图形，同时测量数据存储层图形的电阻，直到该电阻表示数据存储层图形中的复位态。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 | ||