以连续脉冲模式存取数据的与位置无关的半导体存储器件

摘要

本发明提供了一种半导体存储器件及其驱动方法与寻址方法，无论待存取数据的位置在哪，都可以连续脉冲模式存取数据。该半导体存储器件包括：第一存储体，包括对应于第一行地址的第一字线；以及第二存储体，包括对应于第二行地址的第二字线，其中该第二行地址与该第一行地址连续。本发明用于驱动半导体存储器件的方法包括下列步骤：接收对应于一指令的第一行地址；激活对应于所述第一行地址的第一存储体的字线；激活对应于第二行地址的第二存储体的字线，所述第二行地址与所述第一行地址连续；在对应于所述第一存储体的字线的多个单位单元内顺序存取N个数据中预定数量的数据；以及在对应于所述第二存储体的字线的多个单位单元内顺序存取剩余数据。

主权项

1.一种半导体存储器件，其包括：第一存储体，其包括对应于第一行地址的第一字线；第二存储体，其包括对应于第二行地址的第二字线，其中该第二行地址与该第一行地址连续；以及控制器，该控制器启动两个存储体，以在脉冲模式下，在所述第一字线被激活时来激活所述第二字线，在所述脉冲模式中，对应于各连续地址而储存的N个数据被顺序存取。