发明名称 大功率半导体热电芯片组件
摘要 一种大功率半导体热电芯片组件,由中层基板、半导体热电元件、上、下导流板组成,中层基板为绝缘材料成型板或绝缘材料浇注板,中层基板上具有多个与热电元件大小相吻合的穿孔,穿孔内分别安装有P型半导体热电元件和N型半导体热电元件,上、下导流板与中层基板胶合固定,并与半导体热电元件电连接,上、下导流板加工成若干互相绝缘的小块,构成半导体热电元件的并联、串联或并串联组合。本发明优化了工艺,降低了成本,提高了效率,并能实现大功率、高可靠性、工业化大批量生产制造。
申请公布号 CN101136449A 申请公布日期 2008.03.05
申请号 CN200610032143.6 申请日期 2006.08.28
申请人 邓贤金 发明人 邓贤金;王勇;胡善荣;谢建雄
分类号 H01L35/32(2006.01) 主分类号 H01L35/32(2006.01)
代理机构 长沙正奇专利事务所有限责任公司 代理人 魏国先
主权项 1.一种大功率半导体热电芯片组件,其特征在于由中层基板、半导体热电元件、上导流板、下导流板组成,中层基板为绝缘材料成型板或绝缘材料浇注板,中层基板上具有多个与热电元件相吻合的穿孔,穿孔内分别安装有P型半导体热电元件和N型半导体热电元件,上、下导流板与中层基板和半导体热电元件连接固定,并且上导流板与半导体热电元件上端电连接,下导流板与半导体热电元件下端电连接,上、下导流板加工成若干互相绝缘的导流小块,若干互相绝缘的上、下导流小块与P型半导体热电元件、N型半导体热电元件电连接构成半导体热电元件的并联或串联或串、并联组合。
地址 423000湖南省郴州市华宁花园18栋3单元406