发明名称 |
用于差/共模电磁干扰抑制磁性材料的制备方法 |
摘要 |
本发明一种用于差/共模电磁干扰抑制磁性材料的制备方法,包括:将Fe<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>、Mn<SUB>3</SUB>O<SUB>4</SUB>、ZnO三种原材料按Fe<SUP>3+</SUP>∶Mn<SUP>2+</SUP>∶Zn<SUP>2+</SUP>之摩尔比为5.3∶1.20~1.21∶1的比例混合成混合物;将所得混合物粉碎、研磨、混合均匀后,进行预烧,预烧温度为1080~1100℃;掺杂,加入占总质量百分比为:0.05~0.2%的Bi<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>、CaO、SO<SUB>3</SUB>中的一种作为杂质,进行二次研磨;对经过二次研磨获得的混合物进行喷雾法干燥,造粒;将颗粒压制成毛坯;对毛坯进行烧结,温度为1300~1400℃。优点是:初始磁导率达到6500±25%,同类产品为6000±30%,常温饱和磁感应强度为480mT,截止频率500KHz,温度范围-20℃~160℃,比损耗因子tanδ/μi 10×10<SUP>-6</SUP>,能同时符合差/共模抑制器的不同要求。 |
申请公布号 |
CN101136272A |
申请公布日期 |
2008.03.05 |
申请号 |
CN200710044114.6 |
申请日期 |
2007.07.23 |
申请人 |
上海美星电子有限公司 |
发明人 |
杨胜麒;陈新华;傅翼;邵惠民;李蓉 |
分类号 |
H01F1/04(2006.01);H01F1/06(2006.01);H01F1/08(2006.01);H01F41/02(2006.01) |
主分类号 |
H01F1/04(2006.01) |
代理机构 |
上海东亚专利商标代理有限公司 |
代理人 |
董梅 |
主权项 |
1.一种用于差/共模电磁干扰抑制磁性材料的制备方法,包括下述步骤:第一步:将Fe2O3、Mn3O4、ZnO三种原材料按Fe3+∶Mn2+∶Zn2+之摩尔比为5.3∶1.20~1.21∶1的比例混合成混合物;第二步:将所得混合物粉碎、研磨、混合均匀后,进行预烧,预烧温度为1080~1100℃;第三步:掺杂,加入占总质量百分比为:0.05~0.2%的Bi2O3、CaO、SO3中的一种作为杂质,进行二次研磨;第四步:对经过二次研磨获得的混合物进行喷雾法干燥,造粒;第五步:将颗粒压制成毛坯;第六步:对毛坯进行烧结,温度为1300~1400℃。 |
地址 |
200233上海市徐汇区苍梧路16号 |