| 发明名称 | Ⅲ－Ⅴ族氮化物系化合物半导体装置及电极形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种III－V族氮化物系化合物半导体装置，尤其涉及一种在该半导体的n型层上形成低接触电阻的电极的III－V族氮化物系化合物半导体装置，特别是GaN系半导体装置及其电极形成方法。为提供接触电阻率低的电极形成方法及具有此种电极的半导体装置，在III－V族氮化物系化合物半导体的n型层的表面上形成的电极的电极材料中至少使用Ti、Al、Si。特别地，通过在III－V族氮化物系化合物半导体的n型层的表面上形成Ti层，并在Ti层上叠层由Al和Si的混晶相构成的层，能够形成良好的电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101138074A | 申请公布日期 | 2008.03.05 |
| 申请号 | CN200680007935.6 | 申请日期 | 2006.05.25 |
| 申请人 | 古河电气工业株式会社 | 发明人 | 池田成明;吉田清辉 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/338(2006.01);H01L29/778(2006.01);H01L29/812(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 1.一种III-V族氮化物系化合物半导体装置，其特征在于，在由III-V族氮化物系化合物半导体构成的n型层的表面上形成的电极材料中至少包含Ti、Al、Si。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||