发明名称 |
最小尺寸为纳米量级图形的印刻方法 |
摘要 |
本发明涉及一种制备最小尺寸可达纳米量级图形的印刻方法,属于微电子领域。其特征在于先制备出“印”,“印”上刻有所需的凸起或凹进的图形。接着利用得到的印压在较为柔软的材料上,印上突起的部分就在该材料上印刻出了所需的图形。如印凹进则相反。目前微电子工业中制备纳米图形主要采用Spacer技术。Spacer技术的工艺比较复杂,需要经过很多流程而且不易控制;而电子束曝光成本较高,不适合于大批量生产。而本发明提出的印刻方法成本低廉,只要制备出一个印,就能印刻出相同条件的很多样品,有很高的可重复性。 |
申请公布号 |
CN100373259C |
申请公布日期 |
2008.03.05 |
申请号 |
CN200310122870.8 |
申请日期 |
2003.12.26 |
申请人 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
宋志棠;张挺;夏吉林;封松林;陈宝明 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01);G03F7/00(2006.01);H01L21/00(2006.01) |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01) |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 |
代理人 |
潘振甦 |
主权项 |
1.一种最小尺寸为纳米量级图形的印刻方法,包括在硬度较高的固体材料上制备出印,印上刻有所需的凸起或凹进的图形,再印压在硬度较低的柔软材料上,印刻出所需的图形,其特征在于具体步骤是:(a)先用丙酮除去粘附在硬度较高的固体材料上的油污,然后超声清洗5分钟,之后用去离子水冲洗;接着将所述的固体材料浸没在H2O∶H2O2∶NH4OH=5∶1.5∶0.5的混合液中沸煮10分钟,令其自然冷却后用去离子水冲洗;再将它浸没在H2O∶HCl∶H2O2=5∶1∶1.5的混合液中沸煮10分钟,自然冷却后用去离子水冲洗;最后用4%的HF对它进行脱水处理;(b)利用曝光加刻蚀的方法或采用Spacer技术,制备出图形线宽为1nm-10μm,高度或深度为1nm-10μm的印;所述的Spacer技术为薄膜成形技术;(c)施加一个压力,将步骤(b)制得的印压在硬度较低的柔软材料上;所述的硬度较高的固体材料为硅、二氧化硅、金刚石和玻璃中的一种;所述的硬度较低的柔软材料为光刻胶、塑料和铟中的一种。 |
地址 |
200050上海市长宁区长宁路865号 |