发明名称 |
VCSEL、其制造方法、模块、光发送装置、光空间传输装置、光发送系统以及光空间传输系统 |
摘要 |
本发明提供了VCSEL、其制造方法、模块、光发送装置、光空间传输装置、光发送系统以及光空间传输系统。该VCSEL包括:基板;第一导电类型的第一半导体多层;有源层;第二导电类型的第二半导体多层;接触层;这些层中的每一层都堆叠在基板上。第二半导体多层与有源层和第一半导体多层一起构成了谐振器。接触层上形成有金属层。该金属层包括开口部分,该开口部分限定了发射激光的区域。当激光的振荡波长为λ时,接触层和与接触层接触的第二半导体多层的顶层的光学厚度T小于λ/4。 |
申请公布号 |
CN101136538A |
申请公布日期 |
2008.03.05 |
申请号 |
CN200710128169.5 |
申请日期 |
2007.07.09 |
申请人 |
富士施乐株式会社 |
发明人 |
吉川昌宏;山本将央;近藤崇 |
分类号 |
H01S5/183(2006.01);H01S5/323(2006.01);H01S5/00(2006.01);H04B10/00(2006.01);H04B10/04(2006.01) |
主分类号 |
H01S5/183(2006.01) |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 |
代理人 |
李辉;吕俊刚 |
主权项 |
1.一种垂直腔表面发射激光二极管,该垂直腔表面发射激光二极管包括:基板;第一导电类型的第一半导体多层;有源层;第二导电类型的第二半导体多层,所述第二半导体多层与所述有源层和所述第一半导体多层一起构成了谐振器;接触层;这些层中的每一层都堆叠在所述基板上,该垂直腔表面发射激光二极管还包括形成在所述接触层上的金属层,所述金属层包括开口部分,该开口部分限定了发射激光的区域;并且当激光的振荡波长为λ时,所述接触层和与所述接触层接触的所述第二半导体多层的顶层的光学厚度T小于λ/4。 |
地址 |
日本东京 |