半导体装置及其特性的评价方法

摘要

本发明提供一种具有能使得到的特性偏差更接近半导体装置整体的特性偏差的评价部的半导体装置及其特性评价方法。一个评价部由配置了和实际使用MIS晶体管实质上具有相同的结构的多个评价用MIS晶体管而构成，源焊盘(12)、漏焊盘(13)以及栅焊盘(14)与各个评价用MIS晶体管(TrA～TrC)的各个源区域(15)、漏区域(16)以及栅电极(17)共同电连接。如果一个评价部的有效栅宽度超过某一值，就接近半导体装置整体的特性偏差，因此使用这样的评价部能够提高半导体装置特性评价的精度。

主权项

1.一种半导体装置的特性评价方法，该半导体装置包括半导体衬底、和配置在所述半导体衬底内的活性区域中的实际使用MIS晶体管，其特征在于，包括：步骤(a)，将晶圆划分为具有多个评价用MIS晶体管的多个块，按所述各块评价所述多个评价用MIS晶体管的特性，将其评价结果保存到存储器中；和步骤(b)，按所述各块，根据保存到所述存储器内的在所述步骤(a)中的评价结果，计算出所述多个评价用MIS晶体管特性的平均值，然后将其计算结果保存到存储器中。