| 发明名称 | 电子元件、使用其的半导体器件以及制造电子元件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种电子元件、使用其的半导体器件以及制造电子元件的方法。该电子元件具有在该其中形成暴露部分垫电极的开口的钝化层、形成于该垫电极和钝化层之上的下金属层、以及形成于下金属层上的隔离金属层用于外部连接电极，该电子元件还包括配置在开口外部或/和内部的隔离金属层下面的凹槽或/和突起，该下金属层形成在凹槽或/和突起上且具有与凹槽或/和突起相应的表面形状。 | ||
| 申请公布号 | CN101136383A | 申请公布日期 | 2008.03.05 |
| 申请号 | CN200710182106.8 | 申请日期 | 2007.06.15 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 原田惠充;青柳哲理;浅见博 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01);H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L23/485(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 1.一种电子元件，包括：在其中形成有暴露部分垫电极的开口的钝化层；形成在所述垫电极和钝化层上的下金属层；以及形成在所述下金属层上用于外部连接电极的隔离金属层，所述电子元件还包括：配置在所述开口的外部或/和内部的隔离金属层下面的凹槽或/和突起，所述下金属层形成在所述凹槽或/和突起上并具有与所述凹槽或/和突起相一致的表面形状。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||