| 发明名称 | 铜互连的半导体器件的制造方法及其结构 | ||
| 摘要 | 一种铜互连的半导体器件的制造方法，包括提供带有介质隔离层和铜布线层的半导体衬底，铜布线层镶嵌于介质隔离层中；在铜布线层和介质隔离层表面形成扩散阻挡层，扩散阻挡层为面心立方结构的氮化钽材料；在扩散阻挡层上形成铝垫层。相应地，本发明提供一种基于上述方法形成的结构。本发明通过改变沉积扩散阻挡层的工艺及其形成的结构，把TaN薄膜的晶体结构由体心立方结构改变为面心立方结构，覆盖在Cu布线层上更为致密，尤其对于金属台阶部分的“弱区”，更好地阻挡了铜向Al垫层扩散和电迁移。 | ||
| 申请公布号 | CN101136356A | 申请公布日期 | 2008.03.05 |
| 申请号 | CN200610030628.1 | 申请日期 | 2006.08.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 高建峰;王晓艳;刘艳吉;汪钉崇 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L23/532(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种铜互连的半导体器件的制造方法，包括如下步骤：提供带有介质隔离层和铜布线层的半导体衬底，所述铜布线层镶嵌于介质隔离层中；在所述的铜布线层和介质隔离层表面形成扩散阻挡层；在扩散阻挡层上形成铝垫层，其特征在于，所述的扩散阻挡层为面心立方结构的氮化钽材料。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||