| 发明名称 | 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 | ||
| 摘要 | 一种宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构，包括：一衬底；一高温氮化铝成核层，该高温氮化铝成核层制作在衬底的上面；一铝(铟)镓氮超晶格缓冲层，该铝(铟)镓氮超晶格缓冲层制作在高温氮化铝成核层的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在铝(铟)镓氮超晶格缓冲层的上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层的上面；一非有意掺杂或n型掺杂铝(铟)镓氮层，该铝(铟)镓氮层制作在氮化铝插入层的上面。 | ||
| 申请公布号 | CN101136432A | 申请公布日期 | 2008.03.05 |
| 申请号 | CN200610127920.5 | 申请日期 | 2006.09.01 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 王晓亮;马志勇;胡国新;肖红领;冉军学;王梅;罗卫军 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01);H01L21/335(2006.01) | 主分类号 | H01L29/778(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1.一种宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构，其特征在于，其中包括：一衬底；一高温氮化铝成核层，该高温氮化铝成核层制作在衬底的上面；一AlxInyGazN超晶格缓冲层，该AlxInyGazN超晶格缓冲层制作在高温氮化铝成核层的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在AlxInyGazN超晶格缓冲层的上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层的上面；一非有意掺杂或n型掺杂AlxInyGazN层，该AlxInyGazN层制作在氮化铝插入层的上面。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||