发明名称 复合薄膜磁头、磁头组件和磁盘驱动装置
摘要 本发明提供了一种复合薄膜磁头包括:基板;形成在所述基板上的底层;形成在所述底层上且设置有下面屏蔽层、上面屏蔽层和磁阻效应层的磁阻效应读取头元件,其中,读出电流在垂直于所述磁阻效应层表面的方向上流经所述上面屏蔽层和所述下面屏蔽层;层叠在所述磁阻效应读取头元件上的中间屏蔽绝缘层;形成在所述中间屏蔽绝缘层上且设置有第一磁极层、非磁性层、第二磁极层和写入线圈的感应写入头元件,其中,第二磁极层的端部经过所述非磁性层与所述第一磁极层的端部相对;以及,形成在所述上面屏蔽层与所述第一磁极层之间的附加屏蔽层。
申请公布号 CN100373455C 申请公布日期 2008.03.05
申请号 CN200610080345.8 申请日期 2006.05.12
申请人 TDK株式会社 发明人 加加美健朗;清野浩;平林启;小俣英一;矢里晴司;坂本孝光
分类号 G11B5/31(2006.01);G11B21/21(2006.01) 主分类号 G11B5/31(2006.01)
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 李春晖
主权项 1.一种复合薄膜磁头,包括:基板;形成在所述基板上的底层;形成在所述底层上且设置有下面屏蔽层、上面屏蔽层和磁阻效应层的磁阻效应读取头元件,其中,读出电流在垂直于所述磁阻效应层表面的方向上流经所述上面屏蔽层和所述下面屏蔽层;层叠在所述磁阻效应读取头元件上的中间屏蔽绝缘层;形成在所述中间屏蔽绝缘层上且设置有第一磁极层、非磁性层、第二磁极层和写入线圈的感应写入头元件,其中,第二磁极层的端部经过所述非磁性层与所述第一磁极层的端部相对;以及,形成在所述上面屏蔽层与所述第一磁极层之间的附加屏蔽层,其中,所述基板与所述下面屏蔽层之间的寄生电容和所述上面屏蔽层与所述附加屏蔽层之间的寄生电容基本上相同,并且其中,所述基板与所述附加屏蔽层之间的电阻是100欧或更小。
地址 日本东京都