发明名称 |
半穿透半反射式液晶显示装置及其像素电极结构 |
摘要 |
一种半穿透半反射式液晶显示装置的像素电极结构。该像素电极结构包括一设置于一栅极绝缘层表面上的反射电极、一覆盖于该反射电极上的介电层、以及一设置于该介电层表面上且与该反射电极连接的透明电极。 |
申请公布号 |
CN100373247C |
申请公布日期 |
2008.03.05 |
申请号 |
CN200410100340.8 |
申请日期 |
2004.12.06 |
申请人 |
友达光电股份有限公司;富士通株式会社 |
发明人 |
林敬桓;张志明;蔡晴宇;蔡孟璋;张庭瑞 |
分类号 |
G02F1/136(2006.01);G02F1/133(2006.01) |
主分类号 |
G02F1/136(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陈小雯;李晓舒 |
主权项 |
1.一种像素电极结构,适用于一半穿透半反射式液晶显示装置的一阵列基板,该阵列基板包括一栅极线、一数据线、一覆盖于该栅极线的栅极绝缘层、以及用于传送影像信号的一切换装置,该切换装置分别与该像素电极结构、该栅极线以及该数据线连接,该像素电极结构包括:一反射电极,设置于该栅极绝缘层表面上,其中该反射电极限定出一反射区,且该反射区是以一第一电场驱动;一介电层,覆盖于该反射电极上;以及一透明电极,设置于该介电层表面上,且暴露出位于该反射区上的该介电层,并与该反射电极连接,其中该透明电极延伸至一透明区,且该透明区是以一第二电场驱动,其中,该第一电场不同于该第二电场。 |
地址 |
台湾省新竹市 |