| 发明名称 | 富铑的氧隔绝层 | ||
| 摘要 | 本发明公开了用于形成集成电路的电容器的结构和方法。该电容器包括富铑结构(24)，与富铑结构(24)直接接触的氧化铑层(26)，与氧化铑层(26)直接接触的电容器电介质(30)和在电容器之上的上电极(40)。该富铑结构(24)可包括铑合金且电容器电介质(30)优选具有高介电常数。 | ||
| 申请公布号 | CN100373543C | 申请公布日期 | 2008.03.05 |
| 申请号 | CN02804918.7 | 申请日期 | 2002.02.11 |
| 申请人 | 微米技术有限公司 | 发明人 | 杨海宁;D·贾丽;G·S·桑德郝;H·罗德斯;M·维绍肯 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/285(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈长会 |
| 主权项 | 1.一种在集成电路内的电容器，包含：与一部分基材组件接触的第一导电层，其中用于第一导电层的材料选自贵金属，金属合金，金属化合物，多晶硅或其组合；与第一导电层接触的富铑结构，其中富铑结构是20nm-100nm厚；直接接触富铑结构的氧化铑层，其中氧化铑层是1nm-20nm厚；直接接触氧化铑层的电容器电介质；和在电容器电介质之上的上电极，其中上电极包含第二富铑结构，其中第二富铑结构包含贵金属合金层，其中贵金属合金层包含一种包含超过50原子％Rh的Rh-Pt合金。 | ||
| 地址 | 美国艾达荷 | ||