| 发明名称 | 多孔膜的处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种多孔膜的处理方法，在已进行双镶嵌构图和腐蚀后的多孔膜上进行等离子体或物理汽相淀积介质膜处理，淀积膜层厚度为50(埃)到1000的硅化物膜以封闭露出的其直径尺寸为8nm到25nm孔。所淀积的硅化物膜是，例如，二氧化硅膜(SiO<SUB>2</SUB>)，或SiON膜，或SiN膜。 | ||
| 申请公布号 | CN100373530C | 申请公布日期 | 2008.03.05 |
| 申请号 | CN200410018231.1 | 申请日期 | 2004.05.11 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 汪钉崇 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 李勇 |
| 主权项 | 1.多孔膜的处理方法，其特征是，包括以下步骤：在已进行双镶嵌构图和腐蚀后的多孔膜上进行等离子体处理，淀积膜层厚度为50到1000的硅化物膜以封闭露出的其直径尺寸为8nm到25nm孔，处理的条件是：在反应室内的气体为，SiH4/N2O/N2/He/O2/Ar，衬底的加热温度为200℃到400℃，所加的射频功率为50W到200W，形成膜层厚度为50到1000的硅化物膜，随后，已形成的硅化物膜上，顺序形成构成互连线的钽/氮化钽和铜膜。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号 | ||