非易失性存储器的制造方法

摘要

本发明公开了一种非易失性存储器的制造方法，首先提供衬底，衬底上已形成有多个存储器装置，在各个存储器装置的一侧具有第一开口，且各个第一开口位于相邻两个存储器装置之间。接着，在第一开口侧壁和底部形成第一介电层。然后，在各个第一开口两侧侧壁的第一介电层上分别形成一个方块状堆叠结构，各个方块状堆叠结构由下而上包括导体层和填充层。接下来，在各个第一开口中各个方块状堆叠结构一侧的侧壁上形成间隙壁。之后，在各个第一开口中间隙壁所暴露的衬底中形成第一掺杂区。

主权项

1.一种非易失性存储器的制造方法，包括：提供衬底，该衬底上已形成有多个存储器装置，在各存储器装置的一侧具有第一开口，且各第一开口位于相邻两个存储器装置之间；在该第一开口侧壁和底部形成第一介电层；在各第一开口两侧侧壁的该第一介电层上分别形成方块状堆叠结构，各方块状堆叠结构由下而上包括导体层和填充层；在各第一开口中各方块状堆叠结构一侧的侧壁上形成间隙壁；并且在各第一开口中该间隙壁所暴露的该衬底中形成第一掺杂区。