半导体元件及其制造方法

摘要

一种半导体元件的制造方法，是先提供一个基底，再于基底上形成多个IO元件与多个核心元件，其中IO元件包括IO PMOS和IO NMOS、核心元件包括核心PMOS和核心NMOS。然后，在基底上形成一层缓冲层，再移除IO PMOS表面以外的缓冲层，以降低IO PMOS的负偏压温度不稳定度。然后，于IO NMOS与核心NMOS上覆盖一层抗张接触窗蚀刻中止层，并于核心PMOS上覆盖一层抗压接触窗蚀刻中止层。

主权项

1.一种半导体元件的制造方法，包括：提供基底；于该基底上形成多个IO元件与多个核心元件，其中该些IO元件包括多个IO PMOS和多个IO NMOS，且该些核心元件包括多个核心PMOS和多个核心NMOS；于该基底上形成缓冲层；移除该些IO PMOS表面以外的该缓冲层；于该些IO NMOS与该些核心NMOS上覆盖抗张接触窗蚀刻中止层；以及于该些核心PMOS上覆盖抗压接触窗蚀刻中止层。