| 发明名称 | 具有横向MOS晶体管和齐纳二极管的半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括：半导体衬底(1－3)；设置在衬底(1－3)中的横向MOS晶体管(LTa－LTd)；设置在衬底(1－3)中的齐纳二极管(ZDa－ZDd)；以及设置在衬底(1－3)中的电容器(Ca－Ce)。所述晶体管(LTa－LTd)包括漏极(D)和栅极，并且二极管(ZDa－ZDd)和电容器(Ca－Ce)串联耦合在漏极(D)和栅极之间。该器件具有最小化的尺寸和高开关速度。此外，改善了开关损耗和浪涌电压。 | ||
| 申请公布号 | CN101136406A | 申请公布日期 | 2008.03.05 |
| 申请号 | CN200710147106.4 | 申请日期 | 2007.08.30 |
| 申请人 | 株式会社电装 | 发明人 | 高桥茂树;中野敬志;赤木望;樋口安史;藤井哲夫;服部佳晋;桑原诚;冈田京子 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01);H01L23/522(2006.01) | 主分类号 | H01L27/06(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体衬底(1-3)；设置在所述衬底(1-3)中的横向MOS晶体管(LTa-LTd)；设置在所述衬底(1-3)中的齐纳二极管(ZDa-ZDd)；以及设置在所述衬底(1-3)中的电容器(Ca-Ce)，其中所述晶体管(LTa-LTd)包括漏极(D)和栅极(G)，以及所述二极管(ZDa-ZDd)和所述电容器(Ca-Ce)串联耦合在所述漏极(D)和所述栅极(G)之间。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||