非易失性存储装置中形成栅电极的方法

摘要

本发明公开一种形成非易失性存储装置的栅电极的方法。根据本发明，在用于确定栅电极的栅电极蚀刻工艺中，该蚀刻步骤是通过选择性添加含碳附加气体来执行的。其可防止在蚀刻浮动栅时在控制栅的侧壁上形成底切。因此可形成具有垂直轮廓的栅电极。

主权项

1.一种形成非易失性存储装置的栅电极的方法，包括以下步骤：(a)提供半导体衬底，其中形成隧道氧化膜、作为浮动栅的第一多晶硅膜、介电膜以及作为控制栅的第二多晶硅膜；(b)执行第一蚀刻工艺，其中将含碳附加气体添加于主要蚀刻气体中，从而对部分该第二多晶硅膜、该介电膜和该第一多晶硅膜构成图案；及(c)阻断附加气体的供应，并且然后执行仅使用主要蚀刻气体的第二蚀刻工艺，由此对第一多晶硅膜和保持未被构成图案的隧道氧化膜构成图案。