| 发明名称 | 一种用于高压漏极扩展NMOS的栅极耦合的防静电保护结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于高压漏极扩展NMOS的栅极耦合的防静电保护结构，其在原有NMOS结构外增加一个利用金属硅化物阻挡工艺形成的N型浅注入结构电阻。由于在原有NMOS结构外增加一个N型浅注入结构电阻，从而有助于拉高栅极电压并形成一个峰值，而衬底电流也会随着栅极电压的增加而增大，这也更有利于NMOS寄生NPN三极管的开启，从而提高其静电保护的能力。 | ||
| 申请公布号 | CN101136400A | 申请公布日期 | 2008.03.05 |
| 申请号 | CN200610030532.5 | 申请日期 | 2006.08.29 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 苏庆 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01);H01L23/60(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 1.一种用于高压漏极扩展NMOS的栅极耦合的防静电保护结构，其特征在于：在原有NMOS结构外增加一个利用金属硅化物阻挡工艺形成的N型浅注入结构电阻。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||