| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括其中形成有导电层的衬底；在该导电层上方形成的抗反射涂层；以及在该抗反射涂层和该导电层之间插入的抗扩散层。 | ||
| 申请公布号 | CN101136358A | 申请公布日期 | 2008.03.05 |
| 申请号 | CN200710145849.8 | 申请日期 | 2007.08.30 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 全东基 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L23/532(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国;梁挥 |
| 主权项 | 1.一种装置，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上方形成的导电层；在所述导电层上方形成的至少一抗反射涂层；以及在所述导电层和所述至少一抗反射涂层之间形成的抗扩散层，其中所述抗扩散层配置为防止在所述导电层和所述至少一抗反射涂层之间的扩散。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||