发明名称 一种半导体设备中的工艺过程的异常监测方法
摘要 本发明涉及半导体刻蚀领域,本发明提供了一种半导体设备中的工艺过程的异常监测方法,本发明的方法通过对工艺过程中异常状态的区别和对其发生频率的监测,避免了对异常信号的误判和误发告警信号,从而有效地提高半导体制造设备的设备可用时间,产出率和良品率。
申请公布号 CN100373575C 申请公布日期 2008.03.05
申请号 CN200510126448.9 申请日期 2005.12.09
申请人 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 发明人 张秀川
分类号 H01L21/66(2006.01);G05B19/04(2006.01);G05B19/048(2006.01) 主分类号 H01L21/66(2006.01)
代理机构 北京路浩知识产权代理有限公司 代理人 王常风
主权项 1.一种半导体设备中的工艺过程的异常监测方法,其特征在于所述方法包括如下步骤:(1)根据工艺过程的特点,为该工艺设计一个异常监控表,该异常监控表存储了工艺过程中的各种数据项,以及与数据项对应的如下参数:异常判断条件、是否存在稳定化过程标志、稳定化时间、异常计数器、计时器、异常频率、标志位和异常监测周期;(2)工艺开始前,设定异常监控表中本工艺需要监测的数据项的标志位;(3)设备状态异常判断程序逐个扫描标志位,并根据标志位的状态,决定是否启动需要监测的数据项对应的异常判断线程程序;(4)工艺开始后,经过该数据项的稳定化时间后,异常判断线程程序开始对数据项的状态值进行实时监控;(5)若该数据项的状态值在异常监测周期内满足异常判断条件,并被异常计数器记录的次数大于该数据项的异常频率,则抛出告警,并启动相应的处理过程。
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