制造半导体基片上晶体管元件之间连接的方法及半导体器件

摘要

制造半导体基片上晶体管元件之间连接的方法及半导体器件披露了用于在半导体器件内形成连接的方法和装置。该半导体器件包括位于极为接近的晶体管接触之间的接触桥。该接触桥包括多个金属柱，每个分别具有与第一和第二晶体管元件电接触的下端；一个或多个中间金属柱被布置于金属柱的上端之间并与之电接触；以及电介质的一个或多个分离区被布置于中间金属柱的下方以及第一和第二金属柱的下端之间。

主权项

1.一种用于制造半导体基片上两个晶体管元件之间的连接的方法，包括以下步骤：提供半导体基片，该基片具有形成第一晶体管元件(304)的硅层(304)、形成第二晶体管元件(306)的多晶硅层(306)、位于第二晶体管元件(306)一侧上的第一侧分隔件(312A)以及位于第二晶体管元件(306)相对侧上的第二侧分隔件(312A)、以及位于第一晶体管元件(304)、第二晶体管元件(306)和第三电介质层(312)之上的电介质层(316)；在电介质层(316)的上表面上涂敷一层光刻胶(318)；对所述光刻胶层进行光构图以形成至少第一和第二接触区域(308A、309A)，在两者之间具有光刻胶区域(318A)；形成对应于至少第一和第二接触区域(308A、309A)的至少第一和第二空腔(320A，、320B)，其延伸穿过光刻胶层(318)直到电介质层(316)，在光刻胶层(318)与电介质层(316)之间具有残留的光刻胶区域(318B)；刻蚀电介质层(316)穿过该至少第一和第二空腔(320A、320B)以在第四电介质层(316)内形成至少第一和第二接触空腔(321A、321B)，同时降低光刻胶层(318)和光刻胶区域318B的厚度以在第一和第二接触空腔(321A、321B)之间形成第一中间空腔(321C)以及在第一和第二接触空腔(320A、320B)之间形成电介质层(316)的第一分离区(316A)；进一步刻蚀电介质层(316)直到第一接触空腔(321B)接触第一晶体管元件(304)、第二接触空腔(321A)接触第二晶体管元件(306)、第一中间空腔(321C)在接触空腔(321A、321B)之间延伸并向下直到位于接触空腔(320A、320B)之间的电介质层(316)的第一分离区(316A)；以及在第一和第二接触空腔(324A、324B)内和在中间空腔(320C)内沉积导电金属以形成第一、第二和中间导电金属柱324A，、324B和324C。