| 发明名称 | 低介电常数高Q值微波介质材料 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种低介电常数高Q值微波介质材料，其成分为：ZnO、SiO<SUB>2</SUB>、ln<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>，其中，在1份材料中，ZnO摩尔分数a为1.5－3.0，SiO<SUB>2</SUB>摩尔分数b为0.5－1.3，ZnO和SiO<SUB>2</SUB>总和的质量百分比c为0.05％－0.1％，剩余物质为ln<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>。上述技术方案的有益之处在于：采用如上配方加工出来的微波介质材料，经试验表明，与现有的微波介质材料相比，具有低介电常数高Q值的优点，生产重复性能好，并且其温度系数Tf可调。从而使高频滤波器小型化成为可能。 | ||
| 申请公布号 | CN101134669A | 申请公布日期 | 2008.03.05 |
| 申请号 | CN200610150178.X | 申请日期 | 2006.10.31 |
| 申请人 | 朱田中 | 发明人 | 朱田中 |
| 分类号 | C04B35/01(2006.01);C01G1/02(2006.01);C01G15/00(2006.01);C01G9/02(2006.01);C01B33/113(2006.01);H01B3/00(2006.01);H01B3/12(2006.01);H01P7/10(2006.01);H01P1/20(2006.01) | 主分类号 | C04B35/01(2006.01) |
| 代理机构 | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 魏聿珠 |
| 主权项 | 1.低介电常数高Q值微波介质材料，其特征在于：其成分为：ZnO、SiO2、ln2O3，其中，在1份材料中，ZnO摩尔分数a为1.5-3.0，SiO2摩尔分数b为0.5-1.3，ZnO和SiO2总和的质量百分比c为0.05％-0.1％，剩余物质为ln2O3。 | ||
| 地址 | 215633江苏省张家港市金港镇振兴路8号 | ||