发明名称 |
设有阻挡/间隔层的III族氮化物基高电子迁移率晶体管 |
摘要 |
本发明揭示一种高频性能得以提高的III族氮化物基础高电子迁移率晶体管(HEMT)(10)。HEMT(10)的一实施例包括一氮化镓缓冲层(26),而在氮化镓缓冲层(26)上具有一Al<SUB>y</SUB>Ga<SUB>1-y</SUB>N(y=1或y≈1)层(28)。一Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>N(0≤x≤0.5)阻挡层(30)则在Al<SUB>y</SUB>Ga<SUB>1-y</SUB>N层(28)上,与氮化镓缓冲层(26)相对,Al<SUB>y</SUB>Ga<SUB>1-y</SUB>N层(28)的铝含量比Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>N阻挡层(30)高。一Al<SUB>y</SUB>Ga<SUB>1-y</SUB>N层(28)最佳是y=1或y≈1和一Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>N阻挡层(30)最佳是(0≤x≤0.5)。一2DEG(38)在氮化镓缓冲层(26)和Al<SUB>y</SUB>Ga<SUB>1-y</SUB>N层(28)之间的界面形成。各自的源极、漏极和栅极接点(32、34、36)在Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>N层(30)上形成。HEMT(10)也可包括基片(22),其靠近缓冲层(26)并与Al<SUB>y</SUB>Ga<SUB>1-y</SUB>N层(28)相对和成核层(24),其包括在氮化镓缓冲层(26)和基片(22)之间。 |
申请公布号 |
CN100373632C |
申请公布日期 |
2008.03.05 |
申请号 |
CN02814095.8 |
申请日期 |
2002.04.11 |
申请人 |
美商克立股份有限公司;美国加利福尼亚大学董事会 |
发明人 |
I·P·斯莫奇克瓦;W·瓦鲁基维茨;P·查瓦卡尔;吴益逢;S·克勒;U·米施拉 |
分类号 |
H01L29/778(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/778(2006.01) |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
张鑫 |
主权项 |
1.一种高电子迁移率晶体管(20),其包括:一GaN缓冲层(26);一AlyGa1-yN层(28),其在所述氮化镓缓冲层(26)上;一AlxGa1-xN阻挡层(30),其在所述AlyGa1-yN层(28)上,与所述氮化镓缓冲层(26)相对,所述AlyGa1-yN层(28)的Al含量比所述AlxGa1-xN阻挡层(30)的高,其中所述阻挡层的厚度大于100,二维电子气(38),其在氮化镓缓冲层(26)和所述AlyGa1-yN层(28)之间的界面上。 |
地址 |
美国北卡罗莱纳州 |