半导体装置及形成辅助介层窗的方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及形成辅助介层窗的方法。一基底上形成有一介电层。一双镶嵌结构，嵌入于介电层中且填有一导电材料。一辅助介层窗结构，嵌入于介电层中且填有一非导电材料，其中辅助介层窗结构包括至少二个填有非导电材料的辅助介层窗，且分别邻近于双镶嵌结构的二侧。本发明所述半导体装置及形成辅助介层窗的方法，针对具有不同间距的许多介层洞建立一相似的环境，以降低介层洞邻近效应及增加制程容许度。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：一介电层，位于一基底上；一双镶嵌结构，嵌入于该介电层中且填有一导电材料；以及一辅助介层窗结构，嵌入于该介电层中且填有一有机底部抗反射材料、一正型光致抗蚀剂、一负型光致抗蚀剂或一牺牲光吸收材料，其中该辅助介层窗结构包括至少二个填有该有机底部抗反射材料、该正型光致抗蚀剂、该负型光致抗蚀剂或该牺牲光吸收材料的辅助介层窗，且分别邻近于该双镶嵌结构的二侧。