背照式光门型CMOS图像传感器

摘要

一种光电技术领域的背照式光门型CMOS图像传感器，其中：由光门栅极、二氧化硅和硅体而形成光门结构位于硅体背向入射光线的一侧，用于收集扩散而来的信号电子。信号电子转移栅极、信号电子转移源极区和悬浮扩散区与硅体和二氧化硅层构成一NMOS晶体管结构，位于硅体中与光门结构相同一侧。复位栅极、复位漏极区和悬浮扩散区与p型硅体和二氧化硅层也构成一NMOS晶体管结构，且与前面一个NMOS晶体管结构共用悬浮扩散区。另外两个NMOS晶体管读取悬浮扩散区的表面电势，将其放大后从信号输出端输出。接地端与硅体另外一侧相连。本发明消除了现有光门型图像传感器中的蓝光响应，提高输出图像的质量，且结构简单，方案易于实现。

主权项

1.一种背照式光门型CMOS图像传感器，包括：p型硅体、二氧化硅层、光门栅极、信号电子转移栅极、复位栅极、信号输出端、线选端、电源端、复位漏极区、悬浮扩散区、信号电子转移源极区、接地端和两个NMOS晶体管，上述各部分分布于同一块p型硅体，其特征在于，光门栅极、信号电子转移栅极和复位栅极位于p型硅体背向入射光线的一侧，与p型硅体之间有二氧化硅层相隔，光门栅极、二氧化硅和p型硅体形成一光门结构，复位漏极区、悬浮扩散区和信号电子转移源极区均为p型硅体中的n+掺杂区，分布于p型硅体的与光门结构相同的一侧，信号电子转移栅极、信号电子转移源极区和悬浮扩散区与硅体和二氧化硅层一起构成一NMOS晶体管结构，复位栅极、复位漏极区和悬浮扩散区与p型硅体和二氧化硅层一起也构成一NMOS晶体管结构，且与前面一个NMOS晶体管结构共用悬浮扩散区，接地端与p型硅体另外一侧相连，另外两个NMOS晶体管读取悬浮扩散区的表面电势，将其放大后从信号输出端输出，线选端和电源端均为电压输入端。