| 发明名称 | 制造半导体器件的设备和使用其制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种制造半导体器件的设备和使用其制造半导体器件的方法。该设备包括：传送室，用于传送衬底；第一处理室，连接至该传送室，该第一处理室被配置为用以在该衬底上形成TiSiN层；第二处理室，连接至该传送室，该第二处理室被配置为用以在该TiSiN层上形成钽层；和第三处理室，连接至该传送室，该第三处理室被配置为用以在该钽层上形成铜籽晶层。在形成TiSiN层之后，蚀刻与下金属互连接触的TiSiN层部分，在与暴露的下金属互连接触的TiSiN上形成钽层，在钽层上形成铜籽晶层；然后在铜籽晶层上形成铜互连。以这种方式可有效地形成铜互连。 | ||
| 申请公布号 | CN101136316A | 申请公布日期 | 2008.03.05 |
| 申请号 | CN200710148352.1 | 申请日期 | 2007.08.31 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 李汉春 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/67(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的设备，该设备包括：传送室，用于传送衬底；第一处理室，连接至该传送室，该第一处理室被配置为用以在该衬底上形成TiSiN层；第二处理室，连接至该传送室，该第二处理室被配置为用以在该TiSiN层上形成钽层；和第三处理室，连接至该传送室，该第三处理室被配置为用以在该钽层上形成铜籽晶层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||