| 发明名称 | 一种MOS管界面态的测试方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种MOS管界面态的测试方法，所述测试方法包括如下步骤：步骤1.采用电荷泵测试法测得一条电荷泵电流曲线，通过漏端开路和源端开路分别获得另外两条电荷泵电流曲线；步骤2.将这三条曲线相同部分和不同部分进行分离可分别得到源、漏和沟道处电荷泵电流；步骤3.通过源、漏和沟道处电荷泵电流可获得这三处界面态密度。采用此发明方法可以简单快速的分离MOS管的源、漏及沟道界面态，无需繁琐复杂的计算过程就可为器件制造工艺评价以及器件失效分析提供良好的判定依据和分析途径。 | ||
| 申请公布号 | CN101136347A | 申请公布日期 | 2008.03.05 |
| 申请号 | CN200710046681.5 | 申请日期 | 2007.09.29 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 唐逸 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01);G01R31/26(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人 | 屈蘅 |
| 主权项 | 1.一种MOS管界面态测试方法，其特征在于：它包括以下步骤：步骤1：采用电荷泵测试法测得一条电荷泵电流曲线，通过漏端开路和源端开路分别获得另外两条电荷泵电流曲线；步骤2：将这三条曲线相同部分和不同部分进行分离可分别得到源、漏和沟道处电荷泵电流；步骤3：通过源、漏和沟道处电荷泵电流可获得这三处界面态密度。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江高科技园区碧波路177号华虹科技园4楼B区 | ||