磁记录介质

摘要

本申请提供了一种磁记录介质，其能够获得每平方毫米不低于100Mbit的面内记录密度。在该磁记录介质中，在衬底(10)上按照下述列举顺序形成底层(11，12，23)、一个第一磁性层(14)、一个第一中间层(15)、一个第二磁性层(16)、一个第二中间层(17)、一个第三磁性层(18)、一个保护层(19)和一个润滑层(20)。所述第三磁性层(18)和所述第二磁性层(16)均包括至少包含Pt、Cr和B的钴基合金，所述第二磁性层(16)中包含的Pt原子数量的浓度不高于在第三磁性层(18)中的Pt浓度，第三磁性层(18)中包含的Pt为15at％或以下，第三磁性层(18)中包含的Cr的浓度大于或等于15at％且小于或等于18at％，第三磁性层中包含的B的浓度大于或等于7at％且小于或等于10at％。

主权项

1.一种磁记录介质，包括在衬底上按照下述列举顺序形成的一个底层、一个第一磁性层、一个第一中间层、一个第二磁性层、一个第二中间层、一个第三磁性层、一个保护层和一个润滑层，其中：所述第三磁性层和所述第二磁性层均包括至少包含Pt和Cr的钴基合金，所述第二磁性层中包含的Pt原子数量的浓度不高于在第三磁性层中包含的Pt原子数量的浓度，第三磁性层中包含的Pt为15at％或以下，第三磁性层中包含的Cr的浓度大于或等于15at％且小于或等于18at％，第三磁性层中包含的B的浓度大于或等于7at％且小于或等于10at％。