| 发明名称 | 突波吸收器改良结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型是一种突波吸收器改良结构，包含有一陶瓷晶体与数导电体，所述的陶瓷晶体包括有一本体，与两涂覆在本体两侧面的电极层，而导电体一端是呈线性焊接在所述陶瓷晶体外侧面，且导电体另一端是耦接一端子，并凭借导电体焊接在陶瓷晶体外侧面，使本实用新型具有不易损坏与增加可靠性的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN201032637Y | 申请公布日期 | 2008.03.05 |
| 申请号 | CN200720002771.X | 申请日期 | 2007.02.08 |
| 申请人 | 林丽华 | 发明人 | 林丽华 |
| 分类号 | H01L49/00(2006.01);H01C7/12(2006.01);H01C7/10(2006.01);H01G9/18(2006.01) | 主分类号 | H01L49/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孙皓晨 |
| 主权项 | 1.一种突波吸收器改良结构，包含有一陶瓷晶体与数导电体，其特征在于：所述的导电体，一端是焊接在陶瓷晶体外侧面。 | ||
| 地址 | 台湾省台北县 | ||