| 发明名称 | 制造半导体器件的装置以及用其制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于在半导体器件上制造多个层的装置和方法，该装置包括，第一室，在其中依次形成焊盘氧化物层和焊盘氮化物层，以及第二室，在其中形成焊盘绝缘层并对其加热。根据本发明的用于在半导体器件上制造多个层的装置和方法，具有能够减少工序次数，并因此而减少工序时间的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN101136317A | 申请公布日期 | 2008.03.05 |
| 申请号 | CN200710148353.6 | 申请日期 | 2007.08.31 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 金大荣 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1.一种装置，包括：第一室，适于在半导体衬底上形成焊盘氧化物层和焊盘氮化物层；以及第二室，适于形成焊盘绝缘层并对加热所述焊盘绝缘层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||