| 发明名称 | 印刷掺杂层 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用以制造一电子装置，如一MOS晶体管的方法，其包含在一介电功能性基板上形成多个半导体岛，在这些半导体岛的一第一子集上或上方印刷一第一介电层并且选择地在这些半导体岛的一第二子集上或上方印刷一第二介电层，并且进行退火处理。该第一介电层包含一第一掺杂物，并且该第二介电层包含一与该第一掺杂物不同的第二掺杂物。这些介电层、这些半导体岛以及该基板充分地进行退火处理以将该第一掺杂物扩散进入这些半导体岛的该第一子集中，并且，当出现时，将该第二掺杂物扩散进入这些半导体岛的该第二子集中。 | ||
| 申请公布号 | CN101136366A | 申请公布日期 | 2008.03.05 |
| 申请号 | CN200710142711.2 | 申请日期 | 2007.08.15 |
| 申请人 | 高菲欧股份有限公司 | 发明人 | 阿尔芬德·卡曼斯;詹姆斯·蒙太古·克里维斯;乔洛·洛肯博格;派崔克·史密斯;菲比欧·苏黎士 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01);H01L21/8238(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/38(2006.01);H01L27/02(2006.01);H01L27/092(2006.01);H01L27/12(2006.01) | 主分类号 | H01L21/82(2006.01) |
| 代理机构 | 上海虹桥正瀚律师事务所 | 代理人 | 李佳铭 |
| 主权项 | 1.一种用以制造一金氧半导体晶体管的方法，其特征在于，包含下列步骤：(a)在一介电功能性基板上形成多个半导体岛；(b)在所述这些半导体岛的一第一子集上或上方印刷一第一介电层，并且在所述这些半导体岛的一第二子集上或上方印刷一第二介电层，所述第一介电层包含一第一掺杂物并且所述第二介电层包含一与所述第一掺杂物不同的第二掺杂物；以及(c)充分地对所述这些介电层、所述这些半导体岛以及所述基板进行退火处理，以将所述第一掺杂物扩散进入所述这些半导体岛的所述第一子集中，并且将所述第二掺杂物扩散进入所述这些半导体岛的所述第二子集中。 | ||
| 地址 | 美国加州森尼维耳市索诺拉广场1145号 | ||