| 发明名称 | 硅衬底制造方法、液滴喷头制造方法及液滴喷出装置制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种能够不使用抗蚀剂而进行构图、特别是能够在喷嘴连通孔形成后不使用抗蚀剂而进行贮存室及电极取出口的构图、能够防止喷嘴连通孔部的抗蚀剂保护不良的硅衬底的制造方法等。在硅基体材料(400)表面形成氧化硅膜(401a、401b)、在硅基体材料(400)表面的构图部分(400a)从氧化硅膜(401a、401b)上形成氮化硅膜(402)后，在硅基体材料(400)表面的构图部分(400a)以外的部分再形成氧化硅膜(401a、401b)，去除氮化硅膜(402)，使构图部分(400a)的硅基体材料(400)露出，蚀刻硅基体材料(400)。 | ||
| 申请公布号 | CN101134392A | 申请公布日期 | 2008.03.05 |
| 申请号 | CN200710148105.1 | 申请日期 | 2007.08.28 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 山崎成二 |
| 分类号 | B41J2/16(2006.01);B41J2/14(2006.01) | 主分类号 | B41J2/16(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 1.一种硅衬底的制造方法，其特征在于，在硅基体材料表面的构图部分形成氮化硅膜后，在所述构图部分以外的所述硅基体材料表面部分形成氧化硅膜，去除所述氮化硅膜，使所述构图部分的硅基体材料露出，并蚀刻所述硅基体材料。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||