| 发明名称 | 具有减少基片上聚合物沉积部件的等离子体装置以及减少聚合物沉积的方法 | ||
| 摘要 | 一种可调的RF连接环，可以减小真空处理室中基片和热边缘环之间的垂直缝隙。缝隙的减小减少了聚合物在基片和静电吸盘上的沉积，改进了晶片的处理。 | ||
| 申请公布号 | CN101136321A | 申请公布日期 | 2008.03.05 |
| 申请号 | CN200710153279.7 | 申请日期 | 2003.08.28 |
| 申请人 | 兰姆研究公司 | 发明人 | J·东;E·H·伦兹 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/67(2006.01);H01J37/32(2006.01);H05H1/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 郭小军 |
| 主权项 | 1.一种在等离子体处理装置中调节基片和围绕环之间缝隙的方法，包括：将连接环放置到在等离子体处理装置中用于支承基片的基片支承件上，该连接环包括：第一环，其具有至少三个突出部，所述突出部沿平行于连接环轴线的方向从第一环突出；和第二环，其具有至少三组许多台阶，所述台阶设置用来接收所述至少三个突出部中的每个突出部；以及使第一环相对于第二环转动，以调节第一环和第二环的总厚度。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||