| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种不使用光掩模或抗蚀剂而利用简单工艺形成开口部的方法。此外，本发明提供一种以低成本制造半导体装置的方法。在衬底上形成多个光吸收层，在该多个光吸收层上形成层间绝缘层，从层间绝缘层侧将直线形或矩形激光束照射到多个光吸收层，至少去掉多个光吸收层上的层间绝缘膜来形成开口部，由此，去掉多个光吸收层以及形成在该多个光吸收层上的绝缘层，而可以形成多个开口部。 | ||
| 申请公布号 | CN101136330A | 申请公布日期 | 2008.03.05 |
| 申请号 | CN200710147138.4 | 申请日期 | 2007.08.30 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 荒井康行;田中幸一郎;铃木幸惠 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01);H01L21/768(2006.01);B23K26/36(2006.01);B41M5/24(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 浦柏明;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，包括：在衬底上形成第一层；在所述第一层上形成多个光吸收层；在所述第一层以及所述多个光吸收层上形成具有透光性的层；对于所述多个光吸收层照射直线形激光束以通过所述直线形激光束的能量去掉所述多个光吸收层并且通过所述直线形激光束的能量去掉重叠于所述多个光吸收层的所述具有透光性的层的一部分，其中，在所述具有透光性的层的一部分中形成使所述第一层露出的开口部。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||