硅晶片及其制造方法

摘要

本发明公开一种硅晶片及其制造方法，藉由使用一种两步骤式RTP(快速热处理)工艺来制备晶片，该工艺藉由控制位于该晶片表面区上的微小氧沉积物及OiSF(氧化诱导堆垛层错)，而得以确保该晶片具有一理想半导体器件区域。藉由执行本发明公开的两步骤式快速热处理工艺，就可精确控制缺陷分布，并且可形成一理想器件有源区直达离该晶片表面一定距离。此外，还能够藉由使该晶片一内部区域(即体型区域)中在深度方向上的氧沉积物及体型堆垛层错具有恒定密度，可以最大化内吸除(IG)效率。为了在该体型区域中获得氧沉积物及体型堆垛层错的恒定浓度分布，会在一预定混合气体气氛中对该晶片执行上述两步骤式快速热处理工艺。

主权项

1.一种具有一正表面、一背表面、一中心轴、一周围边缘部位以及一介于该正表面与该背表面间的区域的硅晶片，该硅晶片包括：一第一洁净区，其被形成直到离该正表面一预定距离；一第二洁净区，其被形成直到离该背表面一预定距离；以及一体型区域，其被形成在该第一洁净区与该第二洁净区之间，其中该体型区域中的缺陷浓度分布具有在从该正表面至该背表面的轴向上维持恒定的分布；其中该体型区域中缺陷的浓度分布在从该中心轴到该周围边缘部位的径向上维持恒定；以及其中该等缺陷是包括氧沉积物及体型堆垛层错的体型微观缺陷。