| 发明名称 | 半导体制造装置 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种可以使蒸镀在晶片表面的薄膜厚度均匀的半导体制造装置。所揭示的半导体制造装置，包含：用于支持晶片并可旋转地设置在反应室内的支持部件；用于向晶片上部分散供应工程气体的气体供应装置。气体供应装置包含具有从晶片旋转中心相隔距离互不相同的位置上形成多个排气孔的气体分配板。 | ||
| 申请公布号 | CN100373535C | 申请公布日期 | 2008.03.05 |
| 申请号 | CN200510064655.6 | 申请日期 | 2005.04.19 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 郑敬锡;韩圭熙;郑和俊;林暻春;金承炫 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/205(2006.01);C23C16/455(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 韩明星;李云霞 |
| 主权项 | 1.一种半导体制造装置，包含用于支持晶片并可旋转地设置在反应室内的支持部件、用于向所述晶片上部分散供应工程气体的气体供应装置，其特征在于：所述气体供应装置，包含从所述晶片旋转中心相隔不同距离的位置形成多个排气孔的气体分配板。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||