除气层形成装置

摘要

本发明可提供一种除气层形成装置，系可在经研磨后之半导体晶圆之背面形成由多晶矽层或矽氮化层等构成之除气层时，使除气层产生充分之除气效果者。该除气层形成装置包含有：吸盘，系具有可固持半导体晶圆之固持面者；研磨机构，系可研磨正面侧已被固持于该固持面上之半导体晶圆的背面者；清洗机构，系可清洗该背面经研磨后之半导体晶圆者；及除气层形成机构，系可收容已清洗完毕之半导体晶圆，且可在该半导体晶圆之背面形成矽氮化层或多晶矽层之任一者作为除气层者。