| 主权项 |
1.一种化学机械研磨装置,适用于研磨一晶圆,该化 学机械研磨装置包括: 一研磨台; 一研磨垫,配置于该研磨台上,系用以研磨该晶圆; 一研浆供应装置,配置于该研磨台上方; 一晶圆承载器,配置于该研磨台上,系用以承载该 晶圆使其与该研磨垫接触;以及 一高压液体清洗装置,配置于该研磨台上方,系用 以输送一高压液体至该研磨垫,以去除该研磨垫上 之杂质。 2.如申请专利范围第1项所述之化学机械研磨装置, 其中该高压液体清洗装置包括: 一高压液体输送口,系用以将水喷洒至该研磨垫上 ; 一第一管路,系用以传送水至该高压液体输送口; 以及 一加压泵,系用以抽取水至该管路中并调整水压大 小。 3.如申请专利范围第2项所述之化学机械研磨装置, 其中该高压液体输送口包括水柱喷嘴、水雾喷嘴 或水刀喷嘴。 4.如申请专利范围第3项所述之化学机械研磨装置, 更包括一传动装置,用以改变该高压液体输送口所 喷出水之方向。 5.如申请专利范围第4项所述之化学机械研磨装置, 其中该传动装置包括旋转杆。 6.如申请专利范围第2项所述之化学机械研磨装置, 更包括一遮幕,系用以限制该高压液体输送口所喷 出水之范围。 7.如申请专利范围第1项所述之化学机械研磨装置, 其中该研浆供给装置包括一研浆供应管线与一水 供应管线。 8.如申请专利范围第1项所述之化学机械研磨装置, 更包括一抽气装置,系用以排除水气。 9.一种平坦化的方法,包括: 提供一待平坦层;以及 利用一化学机械研磨装置将该待平坦层平坦化,以 形成一平坦化结构,其中该化学机械研磨装置包括 : 一研磨台; 一研磨垫,配置于该研磨台上,系用以研磨该晶圆; 一研浆供应装置,配置于该研磨台上方; 一晶圆承载器,配置于该研磨台上,系用以承载该 晶圆使其与该研磨垫接触;以及 一高压液体清洗装置,配置于该研磨台上方,系用 以输送一高压液体至该研磨垫上,以去除该研磨垫 之杂质。 10.如申请专利范围第9项所述之平坦化的方法,其 中该高压液体清洗装置包括: 一高压液体输送口,系用以将水喷洒至该研磨垫上 ; 一第一管路,系用以传送水至该高压液体输送口; 以及 一加压泵,系用以抽取水至该管路中并调整水压大 小。 11.如申请专利范围第10项所述之平坦化的方法,其 中该高压液体输送口包括水柱喷嘴、水雾喷嘴或 水刀喷嘴。 12.如申请专利范围第10项所述之平坦化的方法,其 中该待平坦层包括介电层或金属层。 13.如申请专利范围第10项所述之平坦化的方法,其 中该研浆供给装置包括一研浆供应管线与一水供 应管线。 图式简单说明: 图1绘示为依照本发明一实施例化学机械研磨装置 之剖面示意图。 图2A至图2C绘示为依照本发明一实施例平坦化的方 法之流程剖面图。 图3A至图3B绘示为依照本发明另一实施例平坦化的 方法之流程剖面图。 |
