半导体装置及使用其之电源装置

摘要

本发明之课题在于提供：可以降低电源装置的主电路之寄生电感之技术。本发明之解决手段为：一种形成有高电位侧用之功率MOSFET的半导体晶片5a、及形成有低电位侧用功率MOSFET之半导体晶片5b、及形成有驱动电路之半导体晶片5c被收容于同一密封体6之半导体装置，以n通道型之纵型MOSFET来形成半导体晶片5a、5b之功率MOSFET，并且半导体晶片5a的源极与半导体晶片5b的汲极系通过同一黏晶座而电性连接。