利用增强型高电子迁移率电晶体/金属半导体场效电晶体之晶片内静电放电防护电路

摘要

本发明系一种晶片内静电放电(ESD)防护电路，利用增强型(enhancement mode)高电子迁移率电晶体(HEMT)／金属半导体场效电晶体(MESFET)分流人体放电等高压突波，供以保护晶片内电子元件不受该高压突波之破坏；比之传统静电放电防护电路串联大量二极体提供高压保护，该防护电路使用增强型(enhancement mode)高电子迁移率电晶体(HEMT)／金属半导体场效电晶体(MESFET)分流高压突波，只需串联少量二极体以触发分流，使得该装置大小变小且适用于以高电子迁移率电晶体(HEMT)／金属半导体场效电晶体(MESFET)为主之晶片内设计，不需改变原先电路基板之制程。