低K或超低K层间介电图案转移之结构与方法STRUCTURES AND METHODS FOR LOW-K OR ULTRA LOW-K INTERLAYER DIELETRIC PATTERN TRANSFER

摘要

本发明关于用于在低k或超低k（即其介电常数介于约1.5～约3.5之间）层间介电（ILD）材料中形成内连线图案之改良方法与结构。更特定地说，最初系使用较小的微影关键尺寸(CDs)（即与目标关键尺寸相比）以形成具有较厚厚度之图案化光阻层，其转而允许使用简化的硬质光罩堆叠（包括下方氮化物光罩层与上方氧化物光罩层）于后续图案的转移。硬质光罩堆叠接着藉由使用含氧化学条件之第一反应性离子蚀刻(RIE)制程以形成硬质光罩开口，且该些硬质光罩开口具有实质上相同于目标关键尺寸的复原关键尺寸。ILD材料接着藉由使用含氮化学条件之第二反应性离子蚀刻制程来图案化以形成具有目标关键尺寸之内连线图案。