发明名称 发光二极体
摘要 一种发光二极体,包含一基板、一发光元件、一透光层与一抗反射膜。该发光元件固设在基板上,该透光层封装在发光元件上,该抗反射膜被覆在该透光层上,且该抗反射膜的折射率小于该透光层的折射率。发光元件发出的光源穿透该透光层,经过抗反射膜以降低光线反射,以提高整体之透光率。
申请公布号 TWM328082 申请公布日期 2008.03.01
申请号 TW096214959 申请日期 2007.09.06
申请人 亿光电子工业股份有限公司 发明人 陈锦庆;王文勋;林明魁;张正宜
分类号 H01L51/50(2006.01) 主分类号 H01L51/50(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 1.一种发光二极体,包含: 一基板; 一发光元件,载设于该基板; 一透光层,覆盖于该发光元件;以及 一抗反射膜,被覆在该透光层上,该抗反射膜的折 射率小于该透光层的折射率。 2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体,其中, 该抗反射膜是一层氟化镁(MgF2)或三氧化二铝(Al2O3) 之真空蒸镀薄膜。 3.如申请专利范围第1项所述之发光二极体,更包含 复数个导线,连接在该发光元件与基板之间。 4.如申请专利范围第3项所述之发光二极体,更包含 复数个金属垫,该等金属垫固设于基板上,该等导 线系分别连接在该发光元件与该等金属垫之间。 5.如申请专利范围第1项所述之发光二极体,其中, 该透光层系为环氧树脂。 6.如申请专利范围第1项所述之发光二极体,更包含 一保护膜,被覆于该抗反射膜上。 7.如申请专利范围第6项所述之发光二极体,其中, 该保护膜是一层二氧化矽(SiO2)之真空蒸镀薄膜。 图式简单说明: 第1图系为传统发光二极体的封装结构之组合剖视 图。 第2图系为本新型一实施例的发光二极体的组合剖 视图。 第3图系为该实施例中制造此发光二极体之切割前 的组合剖视图。 第4图系为该实施例之发光二极体其封装流程的方 块图。
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