| 主权项 |
1.一种插塞矽基板中之贯通孔的方法,包括下列步 骤: 备置具有贯通孔的该矽基板,该矽基板系具有第一 和第二表面的矽基板,而该等贯通孔系自该第一表 面穿透至该第二表面; 形成一绝缘膜于包括该等贯通孔之内壁面的矽基 板的第一和第二表面之上; 藉由一黏着剂,黏着一导体面至该矽基板之第二表 面; 经该等贯通孔,自该矽基板的第一表面蚀刻该黏着 剂,以钻穿该黏着剂,使得该导体面暴露于贯通孔 内; 使用该导体面做为一电极,藉由电镀金属,自该矽 基板之该第一表面将一金属填入该等贯通孔中; 剥离该导体面,并平坦化包括填充金属之该矽基板 的第一和第二表面;且 于该矽基板上进行高压退火。 2.如专利申请范围第1项之方法,其中形成于该包括 贯通孔内壁面之矽基板之第一和第二表面上之绝 缘膜系为一氧化膜,该氧化膜系藉由化学蒸气沉积 法(CVD)或是热处理法而形成。 3.如专利申请范围第1项之方法,其中该黏着剂的蚀 刻步骤系以电浆蚀刻来进行。 4.如专利申请范围第1项之方法,其中该矽基板的第 一和第二表面平坦化步骤系以化学机械抛光法来 进行。 5.如专利申请范围第1项之方法,其中于该矽基板上 之高压退火步骤系在压力150Mpa、温度350℃,且充满 氩气之条件下进行。 6.如专利申请范围第1项之方法,其中该黏着剂为一 黏着膜。 7.如专利申请范围第1项之方法,其中该金属面为一 铜箔。 图式简单说明: 第1图表示在单晶矽基板上形成贯通孔步骤之图; 第2图表示在矽基板之正反面包括贯通孔的内壁面 上完全形成绝缘膜步骤之图; 第3图表示以黏着膜将一片金属箔或是金属板黏着 在矽基板背面步骤之图; 第4图表示在黏着膜上钻孔状态之图; 第5图表示藉由电解电镀在贯通孔内插塞金属步骤 之图; 第6图表示矽基板的对应面平坦化步骤之图;且 第7图表示对矽基板进行高压退火步骤之图。 |
