发明名称 真空处理系统之传送处理室
摘要 一种用于一基板制程设备之传送室,系包含具有侧壁之一主体,其中侧壁系设以耦接于至少一处理室与至少一负载锁定室。主体系容纳一机械臂之至少一部份,该机械臂系设以在处理室与负载锁定室间传送基板。一盖件系耦接至传送室之主体之一顶部,并密封此顶部。传送室系也具有一半球形底部,此半球形底部系耦接至传送室之主体之底部,并密封此底部。
申请公布号 TWI294155 申请公布日期 2008.03.01
申请号 TW092116901 申请日期 2003.06.20
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 栗田伸一;伊曼纽比尔;鸿T. 盖叶;温德T. 白隆尼根
分类号 H01L21/68(2006.01) 主分类号 H01L21/68(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 1.一种传送室,至少包含: 具有侧壁之一主体,系设以耦接于至少一处理室与 至少一负载锁定室,并容纳一机械臂之至少一部份 ,该机械臂系设以在该至少一处理室与该至少一负 载锁定室间传送一基板; 一盖件,系设以耦接至该传送室之该主体之一顶部 部分,并密封该顶部部分;及 一半球形底部,系设以耦接至该传送室之该主体之 一底部部分,并密封该底部部分。 2.如申请专利范围第1项所述之传送室,其中该主体 至少包含一圆柱形内壁与具有复数个平面区域之 一外壁,每一该复数个平面区域,系设以耦接至一 负载锁定室与一处理室之至少一者。 3.如申请专利范围第2项所述之传送室,其中该主体 系以一单片材料加以制成。 4.如申请专利范围第3项所述之传送室,其中该主体 至少包含铝材料。 5.如申请专利范围第4项所述之传送室,其中该主体 之侧壁的最小厚度系约2英寸。 6.如申请专利范围第1项所述之传送室,其中该盖件 基本上呈平面状。 7.如申请专利范围第1项所述之传送室,其中该盖件 系为半球形。 8.如申请专利范围第1项所述之传送室,其中该半球 形底部系以一单片材料加以制成。 9.如申请专利范围第8项所述之传送室,其中该半球 形底部至少包含不锈钢材料。 10.如申请专利范围第9项所述之传送室,其中该半 球形底部的最小厚度系约0.625英寸。 11.如申请专利范围第1项所述之传送室,其中该半 球形底部具有一凹面构造,以致该盖件与该半球形 底部之一中央部分间之垂直距离,大于该盖件与该 半球形底部之一外缘间之垂直距离。 12.一种真空处理系统,该系统至少包含: 一传送室,该传送室至少包含: 具有侧壁之一主体,系设以耦接于至少一处理室与 至少一负载锁定室,并容纳一机械臂之至少一部份 ,该机械臂系设以在该至少一处理室与该至少一负 载锁定室间传送一基板; 一盖件,系设以耦接至该传送室之该主体之一顶部 部分,并密封该顶部部分; 一半球形底部,系设以耦接至该传送室之该主体之 一底部部分,并密封该底部部分; 至少一处理室,系耦接至该传送室之该主体; 至少一负载锁定室,系耦接至该传送室之该主体; 及 一机械臂,系至少部分地延伸通过该半球形底部并 进入该传送室,该机械臂系设以在该至少一处理室 与该至少一负载锁定室间,经由该传送室传送一基 板。 13.如申请专利范围第12项所述之系统,其中该主体 至少包含一圆柱形内壁与具有复数个平面区域之 一外壁,每一该复数个平面区域,系耦接至一负载 锁定室与一处理室之至少一者。 14.如申请专利范围第13项所述之系统,其中该传送 室之该主体系以一单片材料加以制成。 15.如申请专利范围第14项所述之系统,其中该传送 室之该主体至少包含铝材料。 16.如申请专利范围第15项所述之系统,其中该传送 室之该主体之侧壁的最小厚度系约2英寸。 17.如申请专利范围第12项所述之系统,其中该传送 室之该盖件基本上呈平面状。 18.如申请专利范围第12项所述之系统,其中该传送 室之该盖件系为半球形。 19.如申请专利范围第12项所述之系统,其中该传送 室之该半球形底部系以一单片材料加以制成。 20.如申请专利范围第19项所述之系统,其中该传送 室之该半球形底部至少包含不锈钢材料。 21.如申请专利范围第20项所述之系统,其中该传送 室之该半球形底部的最小厚度系约0.625英寸。 22.如申请专利范围第12项所述之系统,其中该传送 室之该半球形底部具有一凹面构造,以致该传送室 之该盖件与该半球形底部之一中央部分间之垂直 距离,系大于该盖件与该半球形底部之一外缘间之 垂直距离。 23.一种形成一传送室之一半球形底部之方法,该传 送室系设以耦接至少一负载锁定室于至少一处理 室,该方法至少包含下列步骤: 选择一材料;及 以该材料加以形成一半球形底部,该半球形底部之 外直径之尺寸大小系配置成适于密封一传送室之 一主体之一底部部分,而该半球形底部系具有一孔 洞,该孔洞之直径尺寸大小系适于容纳一机械臂之 至少一部份,该机械臂系设以在耦接至该传送室之 至少一处理室与至少一负载锁定室之间传送基板 。 24.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该材料 系为不锈钢材料。 25.一种传送室,该传送室至少包含: 具有侧壁之一主体,系设以耦接于至少一处理室与 至少一负载锁定室,并容纳一机械臂之至少一部份 ,该机械臂系设以在该至少一处理室与该至少一负 载锁定室间传送一基板; 一盖件,系设以耦接至该传送室之该主体之一顶部 部分,并密封该顶部部分; 一半球形底部,系设以耦接至该传送室之该主体之 一底部部分,并密封该底部部分; 其中该半球形底部至少包含: 一圆柱形区域,该圆柱形区域之高度系设以容纳位 于该传送室内之一机械臂之一手臂之至少一部份; 及 一半球形区域,该半球形区域系具有: 一第一半径部分,系具有一第一曲率半径;及 一第二半径部分,系在该第一半径部分与该圆柱形 区域间加以延伸,而该第二半径部分系具有小于该 第一曲率半径之一第二曲率半径。 26.如申请专利范围第25项所述之传送室,其中该第 一曲率半径系大于该主体半径。 27.如申请专利范围第26项所述之传送室,其中该第 一曲率半径约为该主体直径之1.5倍。 28.如申请专利范围第25项所述之传送室,其中该第 二曲率半径约为该半球形区域之厚度的5至20倍。 29.一种形成一传送室之一半球形底部之方法,该传 送室系设以耦接至少一负载锁定室于至少一处理 室,该方法至少包含下列步骤: 选择一材料;及 以该材料加以形成一半球形底部,该半球形底部系 具有: 一圆柱形区域,该圆柱形区域之高度系设以容纳位 于该传送室内之一机械臂之一臂的至少一部份;及 一半球形区域,该半球形区域系具有: 一第一半径部分,系具有一第一曲率半径;及 一第二半径部分,系在该第一半径部分与该圆柱形 区域间加以延伸,而该第二半径部分系具有小于该 第一曲率半径之一第二曲率半径。 30.一种传送室之组件,系用以耦接至少一负载锁定 室与至少一处理室,包含: 一半球形底部,其外直径之尺寸大小系配置成适于 密封该传送室之一主体之一底部部分;而该半球形 底部系具有一孔洞,该孔洞之直径尺寸大小系适于 容纳一机械臂之至少一部分,该机械臂用以在耦接 制该传送室之至少一负载锁定室与至少一处理室 之间传送复数个基板。 31.如申请专利范围第30项所述之组件,其中该半球 形底部系由不锈钢所形成。 32.一种传送室之组件,包含: 一半球形底部,用以耦接并密封该传送室之一主体 之一底部,该主体具有侧壁,用以耦接于至少一处 理室和至少一负载锁定室,并容纳至少一机械臂的 一部分,该机械臂用以在该至少一处理室与该至少 一负载锁定室之间传送一基板, 其中该半球形底部包含: 一圆柱形区域,具有一高度用以容纳位于该传送室 内之一机械臂之一臂的一部分;以及 一半球形区域,该半球形区域系具有: 一第一半径部分,系具有一第一曲率半径;以及 一第二半径部分,系在该第一半径部分与该圆柱形 区域间加以延伸,而该第二半径部分系具有小于该 第一曲率半径之一第二曲率半径。 33.如申请专利范围第32项所述之组件,其中该第一 曲率半径大于该主体半径。 34.如申请专利范围第33项所述之组件,其中该第一 曲率半径为该主体直径之约1.5倍。 35.如申请专利范围第32项所述之组件,其中该第二 曲率半径为该半球形区域的一厚度之约5-20倍。 图式简单说明: 第1图系显示传统真空处理系统之垂直截面图; 第2图系为本发明第一实施例之真空处理系统之垂 直截面图; 第3图系为第2图之真空处理系统之传送室之爆炸 图; 第4图系为第2图与第3图之传送室之一示范实施例 之简化侧面图; 第5图系为本发明之另一实施例之真空处理系统之 垂直截面图。
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