| 主权项 |
1.一种画素结构的制造方法,包括: 在一基板上形成一闸极、至少一第一辅助图案以 及与该闸极连接的一扫瞄线; 依序形成一绝缘层、一半导体层、一欧姆接触层 以及一光阻层; 一次曝光显影该光阻层,以形成一第一部份以及一 第二部份,暴露出位于该扫瞄线及该第一辅助图案 上之该欧姆接触层,其中该第一部份覆盖住位于该 闸极上方及部分该扫瞄线上方的该欧姆接触层,该 第二部分覆盖住其他未被该第一部份覆盖以及未 暴露出的部分; 移除暴露出之该欧姆接触层与该半导体层,以暴露 出部分的该绝缘层,以及移除该第二部分; 移除暴露出之该绝缘层、该欧姆接触层与该半导 体层,以形成一闸绝缘层及一通道层,以及移除该 第一部分; 形成一源极、一汲极、至少一第二辅助图案以及 与该源极连接的一资料线,其中该资料线与该第一 辅助图案并连,该第二辅助图案与该扫瞄线并连; 移除该源极与该汲极间的该欧姆接触层以完成一 薄膜电晶体;以及 形成一保护层及一画素电极,该画素电极经该保护 层与该薄膜电晶体电性连接。 2.如申请专利范围第1项所述之画素结构的制造方 法,其中该绝缘层、该半导体层以及该欧姆接触层 是连续地形成。 3.如申请专利范围第1项所述之画素结构的制造方 法,其中: 在该基板上形成该闸极、该扫瞄线以及该第一辅 助图案时,更包括在该基板上形成一下电极线; 该光阻层的该第一部份会覆盖住部分的该下电极 线上方的该欧姆接触层;以及 在形成该源极、该汲极、该资料线以及该第二辅 助图案时,更包括在该下电极线的上方形成一上电 极,以构成一储存电容器。 4.如申请专利范围第3项所述之画素结构的制造方 法,其中在形成该保护层之后,更包括在该保护层 中形成一第一接触窗开口与一第二接触窗开口,如 此当于该保护层上形成该画素电极之后,该画素电 极可透过该第一接触窗开口与该第二接触窗开口 而分别与该汲极以及该上电极电性连接。 5.如申请专利范围第1项所述之画素结构的制造方 法,其中: 在该基板上形成该闸极、该扫瞄线以及该第一辅 助图案时,更包括在该基板上形成与该扫瞄线电性 连接的一扫瞄线端子部,且于该基板上形成一第一 导电图案; 该闸绝缘层更包括暴露出部分的该扫瞄线端子部 以及部分的该第一导电图案;以及 在形成该源极、该汲极、该资料线以及该第二辅 助图案时,更包括形成与该资料线电性连接的一资 料线端子部以及一第二导电图案,其中该资料线端 子部会与暴露出的该第一导电图案电性连接,且该 第二导电图案会与暴露出的该扫瞄线端子部电性 连接。 6.如申请专利范围第5项所述之画素结构的制造方 法,其中于形成该画素电极时,更包括在该资料线 端子部以及该第二导电图案上方分别形成一第一 接触图案以及一第二接触图案,该第一接触图案会 与该资料线端子部电性连接,该第二接触图案会与 该第二导电图案电性连接。 7.如申请专利范围第1项所述之画素结构的制造方 法,其中具有该第一部份与第二部分的该光阻层是 利用一半色调光罩(halftone mask)或是一狭缝型光罩( slit mask)进行曝光而形成。 8.如申请专利范围第1项所述之画素结构的制造方 法,其中该保护层包括一无机介电层、一有机平坦 层或是其组合。 9.如申请专利范围第1项所述之画素结构的制造方 法,其中该光阻层之该第一部份的厚度大于该第二 部分的厚度。 10.如申请专利范围第1项所述之画素结构的制造方 法,其中移除该源极与该汲极间的该欧姆接触层之 步骤更包括移除该半导体层的部分厚度。 11.一种画素结构的制造方法,包括: 在一基板上形成一闸极、与该闸极连接的一扫瞄 线以及至少一第一辅助图案; 依序形成一绝缘层、一半导体层、一欧姆接触层 以及一光阻层; 一次曝光显影该光阻层,以形成一第一部份以及一 第二部份,该第一部份会覆盖住位于部分的该扫瞄 线以及部分的该闸极上方的该欧姆接触层,该第二 部份与该第一部份邻接; 移除未被该光阻层覆盖的该欧姆接触层与该半导 体层,暴露出部分的该绝缘层,以及移除该第二部 分; 移除未被该第一部份覆盖住的该欧姆接触层与该 半导体层的部分厚度且移除被暴露出的该绝缘层, 以形成一通道层与一闸绝缘层,以及移除该第一部 分; 形成一源极、一汲极、至少一第二辅助图案以及 与该源极连接的一资料线以完成一薄膜电晶体,其 中该资料线与该第一辅助图案并连,该第二辅助图 案与该扫瞄线并连;以及 形成一保护层及一画素电极,该画素电极经该保护 层与该薄膜电晶体电性连接。 12.如申请专利范围第11项所述之画素结构的制造 方法,其中该绝缘层、该半导体层以及该欧姆接触 层是连续地形成。 13.如申请专利范围第11项所述之画素结构的制造 方法,其中: 在该基板上形成该闸极、该扫瞄线以及该第一辅 助图案时,更包括在该基板上形成一下电极线; 该光阻层的该第一部份会覆盖住部分的该下电极 线上方的该欧姆接触层;以及 在形成该源极、该汲极、该资料线以及该第二辅 助图案时,更包括在该下电极线的上方形成一上电 极,以构成一储存电容器。 14.如申请专利范围第13项所述之画素结构的制造 方法,其中在形成该保护层之后,更包括在该保护 层中形成一第一接触窗开口与一第二接触窗开口, 如此当于该保护层上形成该画素电极之后,该画素 电极可透过该第一接触窗开口与该第二接触窗开 口而分别与该汲极以及该上电极电性连接。 15.如申请专利范围第11项所述之画素结构的制造 方法,其中: 在该基板上形成该闸极、该扫瞄线、该第一辅助 图案时,更包括在该基板上形成与该扫瞄线电性连 接的一扫瞄线端子部,且于该基板上形成一第一导 电图案; 该闸绝缘层更包括暴露出部分的该扫瞄线端子部 以及部分的该第一导电图案;以及 在形成该源极、该汲极、该资料线以及该第二辅 助图案时,更包括形成与该资料线电性连接的一资 料线端子部以及一第二导电图案,其中该资料线端 子部会与暴露出的该第一导电图案电性连接,且该 第二导电图案会与暴露出的该扫瞄线端子部电性 连接。 16.如申请专利范围第15项所述之画素结构的制造 方法,其中于形成该画素电极时,更包括在该资料 线端子部以及该第二导电图案上方分别形成一第 一接触图案以及一第二接触图案,该第一接触图案 会与该资料线端子部电性连接,该第二接触图案会 与该第二导电图案电性连接。 17.如申请专利范围第11项所述之画素结构的制造 方法,其中具有该第一部份与第二部分的该光阻层 是利用一半色调光罩(halftone mask)或是一狭缝型光 罩(slit mask)进行曝光而形成。 18.如申请专利范围第11项所述之画素结构的制造 方法,其中该保护层包括一无机介电层、一有机平 坦层或是其组合。 19.如申请专利范围第11项所述之画素结构的制造 方法,其中该光阻层之该第一部份的厚度大于该第 二部分的厚度。 图式简单说明: 图1至图7是依照本发明一较佳实施例之一种画素 结构的示意图,其中图1至图7中沿着A-A'的剖面分别 绘示于图1A至图7A中,图1至图7中沿着B-B'的剖面分 别绘示于图1B至图7B中,图1至图7中沿着C-C'的剖面 分别绘示于图1C至图7C中。 图8A至图8B是依照本发明一较佳实施例在扫瞄线端 子部处的制造流程剖面示意图。 图9至图14是依照本发明另一较佳实施例之一种画 素结构的示意图,其中图9至图14中沿着A-A'的剖面 分别绘示于图9A至图14A中,图9至图14中沿着B-B'的剖 面分别绘示于图9B至图14B中,图9至图14中沿着C-C'的 剖面分别绘示于图9C至图14C中。 |
