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发明名称
电容元件埋入半导体封装基板结构及其制作方法
摘要
本发明系有关于一种电容元件埋入半导体封装基板结构,此结构包括内层电路板、介电层及外层线路层。介电层配置于内层电路板的两侧,且具有依序经由金属薄层、电容材料、电极层及黏着层与内层电路板导通之第一导电盲孔。介电层表面系配置外层线路层。在此,金属薄层、电容材料与电极层系作为一电容元件。本发明更包括一种制造此半导体封装基板之方法。将此种埋入于半导体封装基板中之电容元件,相较于整片高介电材料压合以形成电容材料,可节省材料、无填孔性问题及无线路间之电容现象之漏电问题。
申请公布号
TW200812031
申请公布日期
2008.03.01
申请号
TW095132142
申请日期
2006.08.31
申请人
全懋精密科技股份有限公司
发明人
连仲城;杨智贵
分类号
H01L23/48(2006.01)
主分类号
H01L23/48(2006.01)
代理机构
代理人
吴冠赐;杨庆隆;林志鸿
主权项
地址
新竹市东区新竹科学工业园区力行路6号
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