发明名称 电容元件埋入半导体封装基板结构及其制作方法
摘要 本发明系有关于一种电容元件埋入半导体封装基板结构,此结构包括内层电路板、介电层及外层线路层。介电层配置于内层电路板的两侧,且具有依序经由金属薄层、电容材料、电极层及黏着层与内层电路板导通之第一导电盲孔。介电层表面系配置外层线路层。在此,金属薄层、电容材料与电极层系作为一电容元件。本发明更包括一种制造此半导体封装基板之方法。将此种埋入于半导体封装基板中之电容元件,相较于整片高介电材料压合以形成电容材料,可节省材料、无填孔性问题及无线路间之电容现象之漏电问题。
申请公布号 TW200812031 申请公布日期 2008.03.01
申请号 TW095132142 申请日期 2006.08.31
申请人 全懋精密科技股份有限公司 发明人 连仲城;杨智贵
分类号 H01L23/48(2006.01) 主分类号 H01L23/48(2006.01)
代理机构 代理人 吴冠赐;杨庆隆;林志鸿
主权项
地址 新竹市东区新竹科学工业园区力行路6号